Технические характеристики Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ. Интернет-магазин DNS

Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ

Характеристики Отзывы34

Характеристики Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ

Заводские данные

Гарантия продавца / производителя

120 мес.

Страна-производитель

Тайвань (Китай)

Общие параметры

Тип

оперативная память

Модель

QUMO

Код производителя

[QUM3S-4G1600K11L]

Объем и состав комплекта

Тип памяти

DDR3L

Суммарный объем памяти всего комплекта

4 ГБ

Объем одного модуля памяти

4 ГБ

Количество модулей в комплекте

1 шт

Быстродействие

Частота

1600 МГц

Тайминги

CAS Latency (CL)

RAS to CAS Delay (tRCD)

Row Precharge Delay (tRP)

Activate to Precharge Delay (tRAS)

Конструктивные особенности

Количество чипов модуля

Двухсторонняя установка чипов

есть

Дополнительно

Напряжение питания

1.35 В

Описание

Оперативная память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] 4 ГБ выполнена в форм-факторе SODIMM DDR3L, что обеспечило ее миниатюрные габариты и возможность подключения к свободному слоту на материнской плате ноутбука. Такая планка с объемом памяти 4 ГБ характеризуется пропускной способностью PC12800, а наибольшая тактовая частота ее работы составляет 1600 МГц. Поддерживаются также режимы работы 800, 1066, 1333 МГц. Напряжение питания, на которое рассчитана данная планка - 1.35 В.
Рассчитанная на работу при пониженном напряжении память SODIMM QUMO [QUM3S-4G1600K11L] имеет тайминги 11-11-11-30 и отличается простотой установки. На зеленом текстолите, который является основой данного модуля ОЗУ, расположены чипы памяти, общее число которых равняется 16. Чипы располагаются с обеих сторон планки. Упаковкой для изделия послужил прозрачный пластиковый блистер, снабженный клипсой для подвешивания.

Инструкции и файлы

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или напишите нам .