Оперативная память PNY [MD8GSD42666-TB] 8 ГБ

Оперативная память PNY [MD8GSD42666-TB] 8 ГБ
DDR4, 8 ГБx1 шт, 2666 МГц, 19 подробнее
PNY
Код товара: 5066513
Характеристики Оперативная память PNY [MD8GSD42666-TB] 8 ГБ
Заводские данные
Гарантия продавца
60 мес.
Страна-производитель
Тайвань (Китай)
Общие параметры
Модель
PNY
Код производителя
[MD8GSD42666-TB]
Объем и состав комплекта
Тип памяти
Форм-фактор памяти
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ
Объем одного модуля памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 шт
Регистровая память
нет
ECC-память
нет
Быстродействие
Тактовая частота
2666 МГц
Тайминги
CAS Latency (CL)
19
Конструкция
Наличие радиатора
нет
Подсветка элементов платы
нет
Высота
31.2 мм
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Дополнительно
Напряжение питания
1.2 В
Описание

8-гигабайтная оперативная память PNY [MD8GSD42666-TB] будет полезна при сборке или модернизации универсального домашнего или офисного компьютера. Модуль рассчитан на установку в слот DDR4. Тактовая частота устройства – 2666 МГц. Модуль также поддерживает режимы 2400 и 2133 МГц. Пропускная способность памяти достаточна для эффективной работы с большинством типовых программ. Работа с документами или интернет-серфинг не вызовут каких-либо сложностей. Ускорить работу памяти можно благодаря поддержке технологии разгона XMP 2.0.
Оперативная память PNY [MD8GSD42666-TB] использует стандартное для DDR4 напряжение питания – 1.2 В. Модуль отличается малым энергопотреблением и низким тепловыделением. Радиатор отсутствует. Память не подвержена перегреву при любых режимах работы компьютера.

Инструкции и файлы
Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter или напишите нам .
Указанное предложение действительно на 23.07.2024